RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
74
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3316
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link