RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
74
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2243
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link