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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
74
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3036
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
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