RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
74
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
9.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2415
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link