RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
74
Por volta de -118% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3114
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link