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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
74
Por volta de -252% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3038
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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