RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
74
Por volta de -147% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2608
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link