RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
74
Por volta de -252% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3512
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link