RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
74
Por volta de -155% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3757
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link