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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
74
Por volta de -311% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3431
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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