RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de -174% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3531
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link