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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
74
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2163
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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