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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de -174% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2173
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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