RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
74
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2693
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link