RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
74
Por volta de -222% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2591
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link