RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
74
Por volta de -335% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
17
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
18.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3528
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link