Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Pontuação geral

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 15.9

Valor médio nos testes

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Razões a considerar
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

62 74

Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.4 2,201.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

74 62
Velocidade de leitura, GB/s

4,178.4 15.9
Velocidade de escrita, GB/s

2,201.1 7.4
Largura de banda de memória, mbps

6400 19200

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

508 1891

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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