RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
57
73
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
57
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2792
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link