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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
78
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7416G2133U2S 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
78
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
6.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1594
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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