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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
73
Por volta de -248% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3120
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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