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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
75
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
75
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1717
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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