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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
73
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2845
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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