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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
15.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3550
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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