RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3449
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link