RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3490
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link