RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
73
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
40
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2786
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link