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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
73
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2659
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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