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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2562
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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