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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2588
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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