RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3336
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link