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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3372
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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