RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
73
Por volta de -192% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2910
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link