RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
73
Por volta de -248% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
19.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
4089
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link