RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3254
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link