RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3254
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link