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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
73
Por volta de -232% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3007
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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