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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
14.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3278
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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