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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3617
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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