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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
73
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1881
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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