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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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