Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 73
    Por volta de -103% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 1,423.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 5300
    Por volta de 4.83 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    73 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,510.5 left arrow 15.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,423.3 left arrow 11.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    476 left arrow 2734
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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