RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
73
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
40
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2340
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link