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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
73
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
17.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3935
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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