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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 17.6
    Valor médio nos testes
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Razões a considerar
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    61 left arrow 73
    Por volta de -20% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.5 left arrow 1,423.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    73 left arrow 61
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,510.5 left arrow 17.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,423.3 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    476 left arrow 2113

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