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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2688
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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