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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
64
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2340
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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