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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
50
Por volta de -43% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2636
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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