RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
16.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
3465
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Relatar um erro
×
Bug description
Source link