Comparação RAM Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Pontuação geral

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

25600 21300

Por volta de 1.2% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 50

Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.2 15.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.6 10.9

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2512 2955

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns