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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2902
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
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