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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
50
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
3675
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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